المقاولين,قاطع الدائرة,الاستشعار,التشفير,بلك,محول
ترانزستور التأثير الميداني (قدم) هو جهاز أشباه الموصلات يتم التحكم فيه بالجهد ويستخدم بشكل شائع في الدوائر مثل مكبرات الصوت و مفاتيح. لتحديد وظيفتها, طرق مثل قياس مقاومة الدبوس بمقياس متعدد, فحص الموصلية, ويمكن استخدام اختبار القدرة على تحمل الجهد. فيما يلي الخطوات والاحتياطات المحددة:
- المراقبة الأولية والتحضير
- التفتيش البصري
– تحقق مما إذا كانت المسامير مؤكسدة أو مكسورة, وإذا ظهرت على الغلاف علامات الاحتراق أو التشقق.
– لقوة FETs, افحص ما إذا كان المشتت الحراري ملحومًا بقوة بالشريحة.
- تحديد النوع والدبابيس
– تنقسم FETs إلى ترانزستورات ذات تأثير ميداني (JFETs) والترانزستورات ذات التأثير الميداني المعزولة (الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة), مع تصنيف الأخير أيضًا إلى أنواع قناة N وقناة P.
– المسامير عادة ما تكون بوابة (ز), مصدر (س), واستنزاف (د), بينما تحتوي بعض الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) على دبوس ركيزة (ب).
– استخدم ورقة البيانات أو وظيفة اختبار الصمام الثنائي لجهاز القياس المتعدد لتحديد الأطراف بشكل مبدئي (بوابة MOSFET معزولة عن المصدر/المصرف, مع مقاومة لا نهاية لها).
- اختبار مع المتعدد (أخذ MOSFET كمثال)
- تحقق من البوابة (ز) للحياة الطبيعية
غاية: تحديد ما إذا كانت البوابة تالفة بسبب عطل أو ماس كهربائي.
طريقة:
– اضبط المتر المتعدد على نطاق المقاومة (×10kΩ لتجنب الأضرار الكهروستاتيكية لـ MOSFET).
– قياس المقاومة بين البوابة والمصدر, وبين البوابة والصرف. يجب أن تكون القيم العادية لا نهائية.
– إذا كانت المقاومة 0 أو منخفضة, البوابة مكسورة, والجهاز تالف.
- اختبار الموصلية أحادية الاتجاه للمصدر (س) واستنزاف (د) (N-قناة MOSFET)
مبدأ: عندما يجري MOSFET, يوجد صمام ثنائي طفيلي بين المصدر والصرف (غائبة في بعض النماذج).
طريقة:
– اضبط جهاز القياس المتعدد على وظيفة اختبار الصمام الثنائي. قم بتوصيل المسبار الأحمر بالمصدر والمسبار الأسود بالصرف. يجب أن تظهر القراءة العادية انخفاضًا في الجهد بمقدار 0.5-0.8 فولت (مما يدل على أن الصمام الثنائي الطفيلي يجري).
– عكس المجسات (الأحمر لاستنزاف, الأسود للمصدر). لدوائر MOSFET في وضع التحسين, يجب أن تكون المقاومة لانهائية عند عدم التوصيل; للدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) في وضع الاستنفاد, قد يتم عرض مقاومة منخفضة (تحقق مع طراز الجهاز).
حالات غير طبيعية: إذا أظهرت القياسات الأمامية والعكسية التوصيل أو عدم التوصيل, قد يكون الجهاز به عطل داخلي أو دائرة مفتوحة.
- اختبار التوصيل الزناد (تحقق من التشغيل العادي)
غاية: تحقق مما إذا كان جهد البوابة يمكنه التحكم في التوصيل بين المصدر والصرف.
طريقة:
– اضبط المتر المتعدد على نطاق المقاومة (× 1 كيلو أوم). قم بتوصيل المسبار الأحمر بالمصدر والمسبار الأسود بالصرف; يجب أن تكون المقاومة لانهائية (لا تجري).
– قم بقصر البوابة واستنزافها بإصبعك أو ملاقط (تطبيق الجهد الإيجابي على البوابة لMOSFET N-قناة) ولاحظ ما إذا كانت المقاومة تنخفض بسرعة (تشير إلى التوصيل).
– اختصر البوابة والمصدر (تسريح), ويجب أن تعود المقاومة إلى ما لا نهاية.
ملحوظة: لدوائر MOSFET ذات القناة P, تحفيز التوصيل عن طريق تطبيق الجهد السلبي (قم بتوصيل البوابة بالمصدر).
ثالثا. التمييز بين JFETs و MOSFETs
| يكتب | خصائص البوابة | نقاط الاختبار الرئيسية |
| جفيت | تقاطع PN بين البوابة والقناة; مقاومة أمامية/عكسية قابلة للقياس | يجب أن تختلف المقاومة الأمامية/الخلفية بين GS (خصائص تقاطع PN); يمكن تحفيز D-S للتصرف |
| موسفيت | بوابة معزولة بمقاومة لا نهائية | تجنب الضرر الكهروستاتيكي; لا ينبغي أن تترك البوابة عائمة |
- احتياطات
- تدابير مكافحة ساكنة
– الطبقة العازلة للبوابة في الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) معرضة للانهيار الكهروستاتيكي. قم بارتداء حزام معصم مضاد للكهرباء الساكنة قبل التشغيل أو قم بقص الدبابيس باستخدام مسبار متعدد المقاييس لتفريغ الكهرباء الساكنة.
- تجنب سوء التقدير
– تحتوي بعض الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) ذات الطاقة على صمام ثنائي حر مدمج داخليًا. أثناء الاختبار, التمييز بين خصائص الصمام الثنائي وخصائص توصيل MOSFET.
– إذا كان الجهاز ملحومًا بلوحة الدائرة, افصل دبوسًا واحدًا قبل القياس لتجنب تداخل الدائرة.
- مساعدة الأدوات المهنية
– للكشف الدقيق عن المعلمات مثل الموصلية (جم) والجهد الصمود (VDS), استخدم جهاز تتبع منحنى خصائص الترانزستور أو معدات الاختبار المتخصصة.
- ملخص منطق الحكم
- مقاومة البوابة غير الطبيعية: تأكد مباشرة من تلف الجهاز.
- عدم وجود الموصلية أحادية الاتجاه أو فشل التوصيل في SD: يشير إلى الدائرة المفتوحة الداخلية المحتملة, انفصال, أو تدهور الأداء.
- الرجوع إلى معايير النموذج وورقة البيانات: قارن المقاومة المقاسة وانخفاض الجهد بالقيم النظرية.
من خلال الخطوات المذكورة أعلاه, يمكن تقييم وظيفة FET بسرعة. للدوائر الدقيقة أو الأجهزة عالية الطاقة, فمن المستحسن الجمع بين مبادئ الدائرة والاختبار الديناميكي (على سبيل المثال, مراقبة حالة التشغيل عند دمجها في الدائرة) لمزيد من التحقق.
