Le transistor à effet de champ (FET)

Le transistor à effet de champ (FET) est un dispositif semi-conducteur contrôlé en tension couramment utilisé dans les circuits tels que les amplificateurs et commutateurs. Pour déterminer sa fonctionnalité, des méthodes telles que la mesure de la résistance des broches avec un multimètre, vérification de la transconductance, et la capacité de tenue à la tension de test peut être utilisée. Vous trouverez ci-dessous les étapes et précautions spécifiques:

1. Observation préliminaire et préparation
2. Inspection visuelle

– Vérifiez si les broches sont oxydées ou cassées, et si le boîtier présente des signes de brûlure ou de fissuration.

– Pour les FET de puissance, vérifiez si le dissipateur thermique est fermement soudé à la puce.

2. Identifier le type et les broches

– Les FET sont divisés en transistors à effet de champ à jonction (JFET) et transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET), ce dernier étant ensuite classé en types de canal N et de canal P.

– Les broches sont généralement Gate (G), Source (S), et vidanger (D), alors que certains MOSFET ont une broche de substrat (B).

– Utilisez la fiche technique ou la fonction test de diode d'un multimètre pour identifier au préalable les broches (la grille d'un MOSFET est isolée de la source/drain, avec une résistance infinie).

1. Test avec un multimètre (Prendre le MOSFET comme exemple)
2. Vérifiez la porte (G) pour la normalité

But: Déterminer si le portail est endommagé par une panne ou un court-circuit.

Méthode:

– Réglez le multimètre sur la plage de résistance (×10kΩ pour éviter les dommages électrostatiques au MOSFET).

– Mesurer la résistance entre la grille et la source, et entre le portail et le drain. Les valeurs normales devraient être infinies.

– Si la résistance est 0 ou faible, le portail est en panne, et l'appareil est endommagé.

2. Testez la conductivité unidirectionnelle de la source (S) et vidanger (D) (MOSFET canal N)

Principe: Lorsque le MOSFET conduit, une diode parasite existe entre la source et le drain (absent sur certains modèles).

Méthode:

– Réglez le multimètre sur la fonction de test de diode. Connectez la sonde rouge à la source et la sonde noire au drain. Une lecture normale devrait montrer une chute de tension de 0,5 à 0,8 V (indiquant que la diode parasite est conductrice).

– Inverser les sondes (rouge pour égoutter, noir à la source). Pour les MOSFET en mode amélioration, la résistance doit être infinie lorsqu'elle n'est pas conductrice; pour les MOSFET en mode appauvrissement, une faible résistance peut être affichée (vérifier avec le modèle de l'appareil).

Cas anormaux: Si les mesures avant et arrière montrent une conduction ou aucune conduction, l'appareil peut avoir une panne interne ou un circuit ouvert.

3. Test de conduction de déclenchement (Vérifier la mise sous tension normale)

But: Vérifiez si la tension de grille peut contrôler la conduction entre la source et le drain.

Méthode:

– Réglez le multimètre sur la plage de résistance (×1kΩ). Connectez la sonde rouge à la source et la sonde noire au drain; la résistance devrait être infinie (ne pas mener).

– Courtez la porte et vidangez avec un doigt ou une pince à épiler (appliquer une tension positive à la grille pour un MOSFET à canal N) et observez si la résistance chute rapidement (indiquant la conduction).

– Court-circuiter la porte et la source (décharge), et la résistance devrait revenir à l'infini.

Note: Pour les MOSFET à canal P, déclencher la conduction en appliquant une tension négative (connecter la porte à la source).

III. Différencier les JFET et les MOSFET

1. Précautions
2. Mesures antistatiques

– La couche d'isolation de grille des MOSFET est vulnérable aux claquages ​​électrostatiques. Portez un bracelet antistatique avant l'utilisation ou court-circuitez les broches avec une sonde multimètre pour décharger l'électricité statique..

2. Évitez les erreurs de jugement

– Certains MOSFET de puissance ont une diode de roue libre intégrée en interne. Pendant les tests, faire la distinction entre les caractéristiques des diodes et les caractéristiques de conduction MOSFET.

– Si l'appareil est soudé à un circuit imprimé, débranchez une broche avant de mesurer pour éviter les interférences du circuit.

3. Assistance pour les outils professionnels

– Pour une détection précise de paramètres tels que la transconductance (GM) et tenue en tension (VDS), utiliser un traceur de courbe caractéristique de transistor ou un équipement de test spécialisé.

1. Résumé de la logique du jugement
2. Résistance anormale de la porte: Confirmer directement les dommages causés à l'appareil.
3. Manque de conductivité unidirectionnelle ou échec du déclenchement de la conduction en SD: Indique un possible circuit ouvert interne, panne, ou dégradation des performances.
4. Reportez-vous aux normes relatives aux modèles et aux fiches techniques: Comparez la résistance mesurée et la chute de tension avec les valeurs théoriques.

À travers les étapes ci-dessus, la fonctionnalité d'un FET peut être rapidement évaluée. Pour circuits de précision ou appareils haute puissance, il est recommandé de combiner les principes du circuit avec des tests dynamiques (par ex., observer l'état de fonctionnement lorsqu'il est intégré dans un circuit) pour une vérification plus approfondie.